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賽晶IGBT芯片及模塊新品發布


2023年1月18日,賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司(以下簡稱:賽晶)舉行線上新產品發布會,正式推出最新研發成果:i20系列1700V IGBT芯片組、ST封裝IGBT模塊。





再添“扛鼎之作”- i20系列1700V IGBT芯片組


1700V是IGBT的主流電壓等級之一,廣泛應用于風力發電、無功補償(SVG)、智能電網,以及中高壓變頻器等領域。


賽晶i20系列1700V IGBT芯片組,基于經典的溝槽柵及場截止芯片結構,并采用了窄臺面、優化N-型增強層、短溝道、3D結構、優化P+層等多項行業前沿理念的優化設計,具有大功率、低損耗、高可靠性等卓越的芯片性能,代表了國內同類芯片技術的最高水平。






創新設計、國產精品– ST封裝IGBT模塊


已經發布的首款IGBT模塊(ED封裝IGBT模塊),目前已經向電動汽車、新能源發電、工控等領域的多家行業領先客戶批量供貨,并以卓越的性能和表現廣受好評。本次發布會上,賽晶發布了第二款工業級模塊產品- ST封裝IGBT模塊。該模塊,采用行業標準外形設計(62mm),具有極佳的通用性,是工業級IGBT模塊中的主流型號之一。特別是在光伏發電、低壓變頻器、UPS電源、電機驅動、數控機床等領域,ST封裝IGBT模塊具有廣泛的市場需求。


ST封裝IGBT模塊,采用優化布局、三維信號傳輸等創新設計(已申請專利)實現了出色的模塊性能:同類產品中最低的內部熱阻、連接阻抗、內部雜散電感等。ST封裝IGBT模塊,是賽晶打造精品國產IGBT模塊戰略的最新成果。





已然啟程,未來可期- 車規級SiC模塊


本次發布會還介紹了正研發中的兩款車規級SiC模塊:HEEV封裝和EVD封裝SiC MOSFET模塊。HEEV封裝的創新設計,能最大限度的發揮SiC模塊的出色性能。EVD封裝將推出SiC MOSFET和Si IGBT兩個版本,可以滿足汽車市場不同需求。




賽晶半導體,以業內頂級技術專家團隊為核心,致力于打造國產精品IGBT、SiC產品,服務于電動汽車、新能源發電、工業控制等國家戰略新興產業。


成立至今,賽晶半導體業務取得了長足的進步和令人欣喜的成績:我們的生產基地拔地而起、全自動智能化生產線穩定運行;我們的i20系列1200V IGBT芯片、ED封裝IGBT模塊批量生產、廣受好評;我們的研發團隊大咖云集、研發成果喜報頻傳。


展望未來,我們將繼續以打造國產IGBT、SiC精品為己任,為新能源產業和廣大客戶提供更多、更好的產品與服務。


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